华为p10闪存门怎么测试？方法步骤详解

如何测试华为P10闪存门：方法与注意事项

了解闪存门背景

华为P10“闪存门”事件源于2017年，部分用户发现不同批次P10的闪存性能存在差异，主要分为UFS 2.1、UFS 2.0和eMMC 5.1三种类型，UFS 2.1理论性能最佳，而eMMC 5.1相对较低，用户可通过专业工具测试闪存类型及速度，判断设备是否属于“降速”批次。

测试前的准备工作

1. 备份重要数据：测试过程可能涉及读写操作，建议提前备份手机资料，避免数据丢失。
2. 开启开发者选项：进入“设置-关于手机”，连续点击“版本号”7次，启用开发者模式。
3. 安装测试工具：准备支持Android系统的性能测试App，如A1 SD Bench、CrystalDiskMark等，建议从官方渠道下载。

常用测试方法及步骤

使用A1 SD Bench测试

• 步骤：
  ① 打开App，点击“STORAGE”选项；
  ② 选择“Internal Storage”（内置存储）；
  ③ 点击“RUN TEST”开始测试，等待读写速度结果。
• 结果解读：
  • UFS 2.1：顺序读取速度约600MB/s以上，写入速度约200MB/s以上；
  • UFS 2.0：顺序读取约400-500MB/s，写入约150-200MB/s；
  • eMMC 5.1：顺序读取约250-350MB/s，写入约100MB/s左右。

使用CrystalDiskMark测试

• 步骤：
  ① 打开App，点击“STORAGE”选项；
  ② 选择“Sequential Read/Write”（顺序读写）；
  ③ 点击“RUN”开始测试，查看连续读写速度。
• 注意事项：测试时建议关闭后台应用，避免其他程序占用资源影响结果。

通过命令行检测（需Root权限）

• 步骤：
  ① Root手机后安装“Terminal Emulator”应用；
  ② 输入命令“cat /proc/mtd”，查看闪存类型标识；
  ③ 若显示“nand_mtd”或类似参数，可结合第三方工具进一步分析。
• 风险提示：Root操作可能导致系统不稳定，普通用户建议优先选择非侵入式测试方法。

测试结果对比与判断

以下为三种闪存的理论性能参考范围,实际测试可能因手机状态（如剩余空间、温度）略有浮动：

若测试结果显著低于上述范围,可能是手机存储性能异常，建议联系官方售后检测。

注意事项与建议

1. 多次测试取平均值：单次测试可能受系统缓存影响，建议重复测试3次以上，结果更准确。
2. 避免高温环境：长时间使用后手机温度升高，可能导致性能下降，测试前应让设备冷却。
3. 理性看待差异：不同闪存类型在日常使用中体验差异较小，除非为重度游戏或视频剪辑用户，否则无需过度担忧。

通过以上方法,用户可快速了解华为P10的闪存类型及性能，若确认为eMMC 5.1且对性能有较高要求，可考虑通过官方渠道协商换机或维修。