三星960pro和英特尔750
三星960 Pro与英特尔750:旗舰级存储方案对比
在高速固态硬盘(SSD)领域,三星960 Pro和英特尔750曾是不同时期的性能标杆产品,尽管两款产品发布时间相隔较远(三星960 Pro于2016年推出,英特尔750则发布于2015年),但它们在技术架构、应用场景和市场定位上的差异仍值得深入分析,本文将从性能参数、技术特性、适用场景以及用户选择建议等角度展开对比。
产品定位与技术架构
三星960 Pro
- 接口与协议:采用M.2接口(NVMe PCIe 3.0×4),支持NVMe 1.2协议。
- 主控与闪存:搭载三星自研Polaris主控,搭配第三代48层3D V-NAND TLC闪存,通过SLC缓存技术提升性能。
- 性能亮点:
- 顺序读写速度:3,500 MB/s(读)和2,100 MB/s(写)。
- 随机读写性能:440,000 IOPS(读)和360,000 IOPS(写)。
- 容量与耐久性:提供512GB、1TB和2TB选项,最大写入寿命(TBW)为1,200TB(2TB版本)。
英特尔750
- 接口与协议:采用PCIe 3.0×4插槽或U.2接口(可选),同样支持NVMe协议。
- 主控与闪存:使用英特尔定制主控,搭配20nm HET MLC(高耐久性多层单元)闪存,面向企业级稳定性设计。
- 性能亮点:
- 顺序读写速度:2,400 MB/s(读)和1,200 MB/s(写)。
- 随机读写性能:440,000 IOPS(读)和290,000 IOPS(写)。
- 容量与耐久性:提供400GB、800GB和1.2TB版本,1.2TB版本写入寿命高达341TBW。
关键参数对比
参数 | 三星960 Pro | 英特尔750 |
---|---|---|
接口类型 | M.2(PCIe 3.0×4) | PCIe插卡/U.2(PCIe 3.0×4) |
闪存类型 | 3D V-NAND TLC(48层) | 20nm HET MLC |
主控芯片 | 三星Polaris | 英特尔定制主控 |
最大容量 | 2TB | 2TB |
顺序读取速度 | 3,500 MB/s | 2,400 MB/s |
顺序写入速度 | 2,100 MB/s | 1,200 MB/s |
随机读IOPS | 440,000 | 440,000 |
随机写IOPS | 360,000 | 290,000 |
写入寿命(1TB) | 800TBW | 221TBW |
功耗(满载) | 7W | 25W |
性能与应用场景分析
三星960 Pro的优势
- 速度与容量:凭借PCIe 3.0×4通道和V-NAND技术,960 Pro的读写速度显著高于英特尔750,尤其在大文件传输或视频剪辑场景中表现突出。
- TLC的平衡设计:通过SLC缓存技术弥补了TLC闪存在写入耐久性上的不足,同时降低了成本,更适合消费级用户。
- 兼容性:M.2接口适配主流主板,安装便捷,尤其受到DIY玩家青睐。
英特尔750的亮点
- 企业级可靠性:采用MLC闪存和HET技术,写入寿命更高(按单位容量计算),适合频繁写入的服务器或工作站环境。
- 稳定温控:PCIe插卡设计提供更大的散热空间,长时间高负载下性能衰减较小。
- 数据完整性:支持端到端数据保护(E2E),降低数据损坏风险。
用户选择建议
- 游戏与日常使用:三星960 Pro凭借高速读写和M.2的轻量化设计,更适合追求极速启动和加载的玩家。
- 创作:若涉及4K视频渲染或大型数据库处理,英特尔750的稳定性和高TBW更具优势。
- 老旧平台升级:英特尔750的PCIe插卡形态兼容性更广,无需主板支持M.2接口。
相关问答(FAQs)
Q1:三星960 Pro的TLC闪存是否影响长期使用?
A1:TLC闪存的理论寿命低于MLC,但960 Pro通过动态SLC缓存技术和高TBW设计(2TB版本达1,200TBW),已能满足普通用户5-10年的使用需求,除非频繁进行全盘写入操作(如数据库服务器),否则无需担心寿命问题。
Q2:英特尔750是否支持现代主板的M.2接口?
A2:不支持,英特尔750仅提供PCIe插卡和U.2版本,若需使用U.2接口,需主板配备U.2端口或通过M.2转接卡实现,其NVMe协议需要主板BIOS和操作系统(Windows 8.1及以上)支持。
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